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MMBT2484LT3G

MMBT2484LT3G

僅供參考

型號 MMBT2484LT3G
PNEDA編號 MMBT2484LT3G
描述 TRANS NPN 60V 0.1A SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 609,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBT2484LT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBT2484LT3G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBT2484LT3G, MMBT2484LT3G數據表 (總頁數: 5, 大小: 221.56 KB)
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MMBT2484LT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic350mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止(最大值)10nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce250 @ 1mA, 5V
功率-最大225mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

900mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 1.5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

供應商設備包裝

TO-39

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

6.2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

210mV @ 300mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 4A, 2V

功率-最大

2.5W

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 250mA, 750mA

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 400mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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晶體管類型

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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