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MMBT4401WT1G

MMBT4401WT1G

僅供參考

型號 MMBT4401WT1G
PNEDA編號 MMBT4401WT1G
描述 TRANS NPN 40V 0.6A SOT323
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 333,762
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 16 - 三月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBT4401WT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBT4401WT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBT4401WT1G, MMBT4401WT1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 179.69 KB)
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MMBT4401WT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 1V
功率-最大150mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70-3 (SOT323)

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.3W

頻率-過渡

145MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 12mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 3A, 3V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

22V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 5V

功率-最大

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工作溫度

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