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MMBT489LT1G

MMBT489LT1G

僅供參考

型號 MMBT489LT1G
PNEDA編號 MMBT489LT1G
描述 TRANS NPN 30V 1A SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,168
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBT489LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBT489LT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBT489LT1G, MMBT489LT1G數據表 (總頁數: 4, 大小: 89.45 KB)
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MMBT489LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 500mA, 5V
功率-最大710mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1A, 5A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

12 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 4mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

2µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 20mA, 10V

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 40mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 100mA, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

65MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

17 @ 1A, 5V

功率-最大

35W

頻率-過渡

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工作溫度

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