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MMBT5087LT1

MMBT5087LT1

僅供參考

型號 MMBT5087LT1
PNEDA編號 MMBT5087LT1
描述 TRANS PNP 50V 0.05A SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,806
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBT5087LT1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBT5087LT1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBT5087LT1, MMBT5087LT1數據表 (總頁數: 7, 大小: 229.04 KB)
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MMBT5087LT1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce250 @ 100µA, 5V
功率-最大300mW
頻率-過渡40MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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PMST6428,115

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100µA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

700MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

340mV @ 100mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 1A, 2V

功率-最大

2.5W

頻率-過渡

155MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 2V

功率-最大

750mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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