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MMBT5401-G

MMBT5401-G

僅供參考

型號 MMBT5401-G
PNEDA編號 MMBT5401-G
描述 TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23
制造商 Comchip Technology
單價 請求報價
庫存 4,302
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBT5401-G資源

品牌 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBT5401-G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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MMBT5401-G規格

制造商Comchip Technology
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)150V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 5V
功率-最大300mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

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工作溫度

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當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 100mA, 3V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 4A, 20A

當前-集電極截止(最大值)

10mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 10A, 4V

功率-最大

150W

頻率-過渡

200kHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 3mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 30mA, 400mV

功率-最大

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