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MMBT5770

MMBT5770

僅供參考

型號 MMBT5770
PNEDA編號 MMBT5770
描述 RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,058
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 10 - 四月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBT5770資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBT5770
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MMBT5770, MMBT5770數據表 (總頁數: 6, 大小: 302.22 KB)
PDFMMBT5770數據表 封面
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MMBT5770規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
頻率-過渡600MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大225mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 3mA, 1V
當前-集電極(Ic)(最大值)10mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

9dB

功率-最大

87.5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

2.6A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

5.8dB

功率-最大

117W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

16V

頻率-過渡

870MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8dB ~ 9.5dB

功率-最大

2.2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3.3V

頻率-過渡

15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

增益

14dB

功率-最大

190mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

-

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 20mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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