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MMBT6427LT1

MMBT6427LT1

僅供參考

型號 MMBT6427LT1
PNEDA編號 MMBT6427LT1
描述 TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $0.8735
500 ---------- $0.8325
1,000 ---------- $0.7916
2,500 ---------- $0.7506
5,000 ---------- $0.7165
10,000 ---------- $0.6824
庫存 2,669
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 31 - 四月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBT6427LT1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBT6427LT1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBT6427LT1, MMBT6427LT1數據表 (總頁數: 6, 大小: 186.47 KB)
PDFMMBT6427LT1數據表 封面
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MMBT6427LT1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)1μA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20000 @ 100mA, 5V
功率-最大225mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

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