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MMBT918

MMBT918

僅供參考

型號 MMBT918
PNEDA編號 MMBT918
描述 RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBT918資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBT918
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MMBT918, MMBT918數據表 (總頁數: 15, 大小: 748.99 KB)
PDFMMBT918數據表 封面
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MMBT918規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
頻率-過渡600MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)6dB @ 60MHz
增益15dB
功率-最大225mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 3mA, 1V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

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功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

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增益

-

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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12V

頻率-過渡

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增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

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