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MMBT918LT1G

MMBT918LT1G

僅供參考

型號 MMBT918LT1G
PNEDA編號 MMBT918LT1G
描述 RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 55,188
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBT918LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBT918LT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MMBT918LT1G, MMBT918LT1G數據表 (總頁數: 3, 大小: 75.16 KB)
PDFMMBT918LT1數據表 封面
MMBT918LT1數據表 頁面 2 MMBT918LT1數據表 頁面 3

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MMBT918LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
頻率-過渡600MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)6dB @ 60MHz
增益11dB
功率-最大225mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 3mA, 1V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

7.6dB

功率-最大

60W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 500mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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增益

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 2V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

13.5dB ~ 20.5dB

功率-最大

580mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 30mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB @ 1GHz

增益

8.3dB

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 50mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

250mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

工作溫度

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