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MMBTA06LT1G

MMBTA06LT1G

僅供參考

型號 MMBTA06LT1G
PNEDA編號 MMBTA06LT1G
描述 TRANS NPN 80V 0.5A SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,273,630
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTA06LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTA06LT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBTA06LT1G, MMBTA06LT1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 157.39 KB)
PDFMMBTA05LT1數據表 封面
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MMBTA06LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 100mA, 1V
功率-最大225mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100mA, 750mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 500mA, 2V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 250mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 250mA, 1V

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頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1mA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 2A, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

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