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MMBTA56Q-7-F

MMBTA56Q-7-F

僅供參考

型號 MMBTA56Q-7-F
PNEDA編號 MMBTA56Q-7-F
描述 TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 22,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTA56Q-7-F資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTA56Q-7-F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBTA56Q-7-F, MMBTA56Q-7-F數據表 (總頁數: 7, 大小: 408.01 KB)
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MMBTA56Q-7-F規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 100mA, 1V
功率-最大350mW
頻率-過渡50MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 2mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 10mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

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2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 4V

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15A

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3.5V @ 5A, 15A

當前-集電極截止(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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