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MMBTH10-4LT1G

MMBTH10-4LT1G

僅供參考

型號 MMBTH10-4LT1G
PNEDA編號 MMBTH10-4LT1G
描述 RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 83,514
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTH10-4LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTH10-4LT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MMBTH10-4LT1G, MMBTH10-4LT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 91.3 KB)
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MMBTH10-4LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡800MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大225mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 4mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

650MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

265mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-723

供應商設備包裝

SOT-723

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

8V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

2.1W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 100mA, 4.8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

250mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

18V

頻率-過渡

175MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

70W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 250mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

M135

供應商設備包裝

M135

2SC5488A-TL-H

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 20mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

3-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

3-SSFP

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

增益

12dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

-

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