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MMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G

僅供參考

型號 MMBTH10LT1G
PNEDA編號 MMBTH10LT1G
描述 RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 314,496
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTH10LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTH10LT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MMBTH10LT1G, MMBTH10LT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 91.3 KB)
PDFMMBTH10-4LT1數據表 封面
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MMBTH10LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡650MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大225mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 4mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz

增益

10.5dB ~ 14dB

功率-最大

600mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 35mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

13.5dB ~ 20.5dB

功率-最大

580mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 30mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

12dB ~ 14.5dB

功率-最大

320W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

-

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz

增益

-

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 40mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120mA

工作溫度

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包裝/箱

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