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MMBTH10LT3G

MMBTH10LT3G

僅供參考

型號 MMBTH10LT3G
PNEDA編號 MMBTH10LT3G
描述 RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 74,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTH10LT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTH10LT3G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MMBTH10LT3G, MMBTH10LT3G數據表 (總頁數: 5, 大小: 91.3 KB)
PDFMMBTH10-4LT1數據表 封面
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MMBTH10LT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡650MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大225mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 4mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8dB ~ 8.7dB

功率-最大

575W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

工作溫度

250°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M214

供應商設備包裝

M214

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz

增益

8.3dB

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 50mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

250mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

增益

11dB ~ 13dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

470MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 300mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

增益

16dB

功率-最大

205mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 20mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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