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MMBTH10LT3G

MMBTH10LT3G

僅供參考

型號 MMBTH10LT3G
PNEDA編號 MMBTH10LT3G
描述 RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 74,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTH10LT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTH10LT3G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MMBTH10LT3G, MMBTH10LT3G數據表 (總頁數: 5, 大小: 91.3 KB)
PDFMMBTH10-4LT1數據表 封面
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MMBTH10LT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡650MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大225mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 4mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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頻率-過渡

14GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

增益

15.5dB

功率-最大

210mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 15mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-723

供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

頻率-過渡

960MHz ~ 1.215GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8dB ~ 8.7dB

功率-最大

575W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

工作溫度

250°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz

增益

8.3dB

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 50mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

250mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

8V

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16GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

增益

17.5dB

功率-最大

400mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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