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MMBZ4708-HE3-08

MMBZ4708-HE3-08

僅供參考

型號 MMBZ4708-HE3-08
PNEDA編號 MMBZ4708-HE3-08
描述 DIODE ZENER 22V 350MW SOT23-3
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,240
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBZ4708-HE3-08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBZ4708-HE3-08
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
MMBZ4708-HE3-08, MMBZ4708-HE3-08數據表 (總頁數: 4, 大小: 90.43 KB)
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MMBZ4708-HE3-08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)22V
公差±5%
功率-最大350mW
阻抗(最大值)(閽zt)-
當前-反向泄漏@ Vr10nA @ 16.7V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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公差

±5%

功率-最大

1.25W

阻抗(最大值)(閽zt)

5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 6.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

150°C

安裝類型

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電壓-齊納(額定)(Vz)

180V

公差

±5%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 136.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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±5%

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

2.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 5.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

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公差

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阻抗(最大值)(閽zt)

100 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-齊納(額定)(Vz)

150V

公差

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功率-最大

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1.5 kOhms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 114V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

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