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MMBZ5261ELT1G

MMBZ5261ELT1G

僅供參考

型號 MMBZ5261ELT1G
PNEDA編號 MMBZ5261ELT1G
描述 DIODE ZENER 47V 225MW SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,320
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBZ5261ELT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBZ5261ELT1G
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
MMBZ5261ELT1G, MMBZ5261ELT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 161.67 KB)
PDFMMBZ5257ELT1G數據表 封面
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MMBZ5261ELT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)47V
公差±5%
功率-最大225mW
阻抗(最大值)(閽zt)105 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 36V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 10mA
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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33V

公差

±6%

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

80 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 24V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Mini MELF

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電壓-齊納(額定)(Vz)

9.1V

公差

±10%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-齊納(額定)(Vz)

5.6V

公差

±5%

功率-最大

350mW

阻抗(最大值)(閽zt)

1.4 kOhms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3

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制造商

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系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

27V

公差

±2%

功率-最大

200mW

阻抗(最大值)(閽zt)

70 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 21V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-55°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

1005 (2512 Metric)

供應商設備包裝

1005/SOD-323F

BZT52C36-G3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

36V

公差

±5%

功率-最大

410mW

阻抗(最大值)(閽zt)

40 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 27V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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