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MMDF1N05ER2G

MMDF1N05ER2G

僅供參考

型號 MMDF1N05ER2G
PNEDA編號 MMDF1N05ER2G
描述 MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,406
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMDF1N05ER2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMDF1N05ER2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
MMDF1N05ER2G, MMDF1N05ER2G數據表 (總頁數: 5, 大小: 110.17 KB)
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MMDF1N05ER2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds330pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Ta), 3.2A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

369pF @ 10V, 440pF @ 10V

功率-最大

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 15V

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1950pF @ 20V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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