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MMDF2C03HDR2

MMDF2C03HDR2

僅供參考

型號 MMDF2C03HDR2
PNEDA編號 MMDF2C03HDR2
描述 MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMDF2C03HDR2資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMDF2C03HDR2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
MMDF2C03HDR2, MMDF2C03HDR2數據表 (總頁數: 10, 大小: 148.69 KB)
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MMDF2C03HDR2規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.1A, 3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds630pF @ 24V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A (Ta), 2.3A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3A, 10V, 135mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.34nC @ 4.5V, 4.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

390pF @ 15V, 409pF @ 15V

功率-最大

1.15W

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.5A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 10V

功率-最大

450mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.7A, 14.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1252pF @ 15V

功率-最大

1.1W

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.7nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 10V

功率-最大

750mW (Ta)

工作溫度

150°C

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

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