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MMDF3N04HDR2G

MMDF3N04HDR2G

僅供參考

型號 MMDF3N04HDR2G
PNEDA編號 MMDF3N04HDR2G
描述 MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,646
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMDF3N04HDR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMDF3N04HDR2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
MMDF3N04HDR2G, MMDF3N04HDR2G數據表 (總頁數: 8, 大小: 134.22 KB)
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MMDF3N04HDR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs80mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs28nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds900pF @ 32V
功率-最大1.39W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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FET類型

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1066pF @ 10V

功率-最大

1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

90V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

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FET類型

4 N-Channel

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

14-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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FET類型

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

1200V (1.2kV)

電流-25°C時的連續漏極(Id)

78A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 60A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 3mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

148nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2850pF @ 1000V

功率-最大

370W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP6

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A, 8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 10V

功率-最大

2.5W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

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