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MMDL6050T1G

MMDL6050T1G

僅供參考

型號 MMDL6050T1G
PNEDA編號 MMDL6050T1G
描述 DIODE GEN PURP 70V 200MA SOD323
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 1,492,740
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMDL6050T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMDL6050T1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MMDL6050T1G, MMDL6050T1G數據表 (總頁數: 3, 大小: 122.23 KB)
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MMDL6050T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)70V
電流-平均整流(Io)200mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-76, SOD-323
供應商設備包裝SOD-323
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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1600V

電流-平均整流(Io)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 125A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

200A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 200A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

130ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

HALF-PAK

工作溫度-結點

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

7A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

590mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

電容@ Vr,F

1995pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

DO-219AB

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

MELF

工作溫度-結點

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