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MMDT2222A-7-F

MMDT2222A-7-F

僅供參考

型號 MMDT2222A-7-F
PNEDA編號 MMDT2222A-7-F
描述 TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 563,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMDT2222A-7-F資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMDT2222A-7-F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
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MMDT2222A-7-F規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)10nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 10V
功率-最大200mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

180mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 200mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

360MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 5V

功率-最大

1.1W

頻率-過渡

150MHz

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4.5A, 4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V, 12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

280mV @ 50mA, 4.5A / 300mV @ 150mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

25nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 3A, 2V / 180 @ 2.5A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

120MHz, 110MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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