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MMIX1G320N60B3

MMIX1G320N60B3

僅供參考

型號 MMIX1G320N60B3
PNEDA編號 MMIX1G320N60B3
描述 MOSFET N-CH
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,978
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMIX1G320N60B3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMIX1G320N60B3
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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MMIX1G320N60B3規格

制造商IXYS
系列GenX3™
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)400A
電流-集電極脈沖(Icm)1000A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.5V @ 15V, 100A
功率-最大1000W
開關能量2.7mJ (on), 5mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用585nC
25°C時的Td(開/關)44ns/250ns
測試條件480V, 100A, 1Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)66ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-PowerSMD, 21 Leads
供應商設備包裝24-SMPD

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Infineon Technologies

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 30A

功率-最大

463W

開關能量

260µJ (on), 250µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

90nC

25°C時的Td(開/關)

13ns/55ns

測試條件

400V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

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安裝類型

Through Hole

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制造商

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系列

POWER MOS 7®

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

41A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 13A

功率-最大

250W

開關能量

114µJ (on), 165µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

55nC

25°C時的Td(開/關)

9ns/28ns

測試條件

600V, 13A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

IXYS

系列

XPT™

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

2500V

當前-集電極(Ic)(最大值)

95A

電流-集電極脈沖(Icm)

235A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 25A

功率-最大

937W

開關能量

8.3mJ (on), 7.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

147nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/230ns

測試條件

1250V, 25A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

34ns

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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