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MMIX4B22N300

MMIX4B22N300 MMIX4B22N300

僅供參考

型號 MMIX4B22N300
PNEDA編號 MMIX4B22N300
描述 TRANS BIPOLAR 3000V 38A MOSFET
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,192
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMIX4B22N300資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMIX4B22N300
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-陣列

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MMIX4B22N300規格

制造商IXYS
系列*
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入-
NTC熱敏電阻-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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18A

功率-最大

140W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

6V @ 15V, 16A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

i4-Pac™-5

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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IGBT類型

NPT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

18A

功率-最大

140W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

6V @ 15V, 16A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IXYS

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NPT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

功率-最大

100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

600µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

i4-Pac™-5

供應商設備包裝

ISOPLUS i4-PAC™

制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

-

配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

2500V

當前-集電極(Ic)(最大值)

23A

功率-最大

100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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IGBT類型

PT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

63A

功率-最大

230W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

150µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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