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MMJT350T1

MMJT350T1

僅供參考

型號 MMJT350T1
PNEDA編號 MMJT350T1
描述 TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,174
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMJT350T1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMJT350T1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMJT350T1, MMJT350T1數據表 (總頁數: 5, 大小: 116.13 KB)
PDFMMJT350T1數據表 封面
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MMJT350T1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 50mA, 10V
功率-最大2.75W
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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