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MMJT9410T1

MMJT9410T1

僅供參考

型號 MMJT9410T1
PNEDA編號 MMJT9410T1
描述 TRANS NPN 30V 3A SOT223
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 8 - 二月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMJT9410T1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMJT9410T1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMJT9410T1, MMJT9410T1數據表 (總頁數: 5, 大小: 73.9 KB)
PDFMMJT9410T1G數據表 封面
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MMJT9410T1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic450mV @ 300mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce85 @ 800mA, 1V
功率-最大3W
頻率-過渡72MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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NPN

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 2mA, 10V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

227mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

380 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

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工作溫度

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