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MMRF1006HR5

MMRF1006HR5

僅供參考

型號 MMRF1006HR5
PNEDA編號 MMRF1006HR5
描述 FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,174
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMRF1006HR5資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMRF1006HR5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MMRF1006HR5, MMRF1006HR5數據表 (總頁數: 13, 大小: 748.89 KB)
PDFMMRF1006HR5數據表 封面
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MMRF1006HR5規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率450MHz
增益20dB
電壓-測試50V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試150mA
功率-輸出1000W
電壓-額定120V
包裝/箱SOT-979A
供應商設備包裝NI-1230-4H

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噪聲系數

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1.3A

功率-輸出

43W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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頻率

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增益

21dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

11A

噪聲系數

-

當前-測試

200mA

功率-輸出

125W

電壓-額定

150V

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.17GHz

增益

18dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

800mA

功率-輸出

22W

電壓-額定

65V

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電壓-測試

30V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.6A

功率-輸出

50W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

200mA

功率-輸出

47.6dBm

電壓-額定

125V

包裝/箱

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供應商設備包裝

440193

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