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MMSD103T1

MMSD103T1

僅供參考

型號 MMSD103T1
PNEDA編號 MMSD103T1
描述 DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD123
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMSD103T1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMSD103T1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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MMSD103T1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)250V
電流-平均整流(Io)200mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 200mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 200V
電容@ Vr,F5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123
供應商設備包裝SOD-123
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

75µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123F

供應商設備包裝

SOD-123FL

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1600V

電容@ Vr,F

5pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

560mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.75mA @ 40V

電容@ Vr,F

900pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 100V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123H

供應商設備包裝

SOD-123HE

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