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MMSZ2V4T3G

MMSZ2V4T3G

僅供參考

型號 MMSZ2V4T3G
PNEDA編號 MMSZ2V4T3G
描述 DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD123
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,820
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMSZ2V4T3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMSZ2V4T3G
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
MMSZ2V4T3G, MMSZ2V4T3G數據表 (總頁數: 7, 大小: 254.76 KB)
PDFMMSZ5V1T3G數據表 封面
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MMSZ2V4T3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)2.4V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)100 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 10mA
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123
供應商設備包裝SOD-123

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公差

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功率-最大

1.5W

阻抗(最大值)(閽zt)

8 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 10.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

供應商設備包裝

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電壓-齊納(額定)(Vz)

4.3V

公差

±2%

功率-最大

400mW

阻抗(最大值)(閽zt)

90 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

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安裝類型

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電壓-齊納(額定)(Vz)

43V

公差

±2%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

90 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 33V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

110V

公差

±20%

功率-最大

3W

阻抗(最大值)(閽zt)

300 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 83.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-齊納(額定)(Vz)

2.4V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

100 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 100mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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