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MMSZ4682T1G

MMSZ4682T1G

僅供參考

型號 MMSZ4682T1G
PNEDA編號 MMSZ4682T1G
描述 DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD123
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,039
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMSZ4682T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMSZ4682T1G
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
MMSZ4682T1G, MMSZ4682T1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 189.8 KB)
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MMSZ4682T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)2.7V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)-
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 10mA
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123
供應商設備包裝SOD-123

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公差

±5%

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

550 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 91.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

±1%

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

18 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 1.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AA (Glass)

供應商設備包裝

DO-213AA

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制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

36V

公差

±20%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

11 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25.9V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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5.6V

公差

-

功率-最大

800mW

阻抗(最大值)(閽zt)

4 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

±5%

功率-最大

410mW

阻抗(最大值)(閽zt)

28 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 18V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123

供應商設備包裝

SOD-123

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