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MMSZ5225B-G3-08

MMSZ5225B-G3-08

僅供參考

型號 MMSZ5225B-G3-08
PNEDA編號 MMSZ5225B-G3-08
描述 DIODE ZENER 3V 500MW SOD123
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,708
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 10 - 十一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMSZ5225B-G3-08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMSZ5225B-G3-08
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
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MMSZ5225B-G3-08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)3V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)30 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123
供應商設備包裝SOD-123

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公差

-

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

55 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 27.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

82V

公差

±5%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

200 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 62.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-213AB

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制造商

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電壓-齊納(額定)(Vz)

10V

公差

±1%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

7 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 7.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-41

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

160V

公差

±20%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

350 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 115V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

T-18, Axial

供應商設備包裝

T-18

1N5940APE3/TR8

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

43V

公差

±10%

功率-最大

1.5W

阻抗(最大值)(閽zt)

53 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 32.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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