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MMSZ5230BT1G

MMSZ5230BT1G

僅供參考

型號 MMSZ5230BT1G
PNEDA編號 MMSZ5230BT1G
描述 DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 126,558
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMSZ5230BT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMSZ5230BT1G
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
MMSZ5230BT1G, MMSZ5230BT1G數據表 (總頁數: 8, 大小: 229.54 KB)
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MMSZ5230BT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)4.7V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)19 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 2V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 10mA
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123
供應商設備包裝SOD-123

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阻抗(最大值)(閽zt)

2.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 10.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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450 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 98.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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包裝/箱

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

80 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 51V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

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安裝類型

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公差

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

55 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 16V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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