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MMSZ5258BT3G

MMSZ5258BT3G

僅供參考

型號 MMSZ5258BT3G
PNEDA編號 MMSZ5258BT3G
描述 DIODE ZENER 36V 500MW SOD123
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $9.3567
100 ---------- $8.9181
250 ---------- $8.4795
500 ---------- $8.0409
750 ---------- $7.6754
1,000 ---------- $7.3099
庫存 453,327
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMSZ5258BT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMSZ5258BT3G
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
MMSZ5258BT3G, MMSZ5258BT3G數據表 (總頁數: 8, 大小: 229.54 KB)
PDFMMSZ5256CT1G數據表 封面
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MMSZ5258BT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)36V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)70 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 27V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 10mA
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123
供應商設備包裝SOD-123

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電壓-齊納(額定)(Vz)

91V

公差

±5%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

200 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 68V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123W

供應商設備包裝

SOD-123W

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

Military, MIL-PRF-19500/115

電壓-齊納(額定)(Vz)

91V

公差

±1%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

250 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 69.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AB, MELF (Glass)

供應商設備包裝

DO-213AB (MELF, LL41)

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

Military, MIL-PRF-19500/406

電壓-齊納(額定)(Vz)

130V

公差

±5%

功率-最大

1.5W

阻抗(最大值)(閽zt)

500 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

250nA @ 104V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-41

SMAJ4750E3/TR13

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

27V

公差

±10%

功率-最大

2W

阻抗(最大值)(閽zt)

35 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 20.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

7.5V

公差

±6%

功率-最大

200mW

阻抗(最大值)(閽zt)

15 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-323

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