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MMUN2113LT1

MMUN2113LT1

僅供參考

型號 MMUN2113LT1
PNEDA編號 MMUN2113LT1
描述 TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 10 - 四月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMUN2113LT1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMUN2113LT1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
MMUN2113LT1, MMUN2113LT1數據表 (總頁數: 13, 大小: 152.32 KB)
PDFMMUN2134LT1數據表 封面
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MMUN2113LT1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大246mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 100mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

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