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MOCD207R1VM

MOCD207R1VM

僅供參考

型號 MOCD207R1VM
PNEDA編號 MOCD207R1VM
描述 OPTOISO 2.5KV 2CH TRANS 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,338
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MOCD207R1VM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MOCD207R1VM
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
MOCD207R1VM, MOCD207R1VM數據表 (總頁數: 8, 大小: 493.33 KB)
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MOCD207R1VM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數2
電壓-隔離2500Vrms
電流傳輸比(最小值)100% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)200% @ 10mA
開啟/關閉時間(典型值)3µs, 2.8µs
上升/下降時間(典型值)1.6µs, 2.2µs
輸入類型DC
輸出類型Transistor
電壓-輸出(最大值)70V
電流-輸出/通道150mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.25V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)400mV
工作溫度-40°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

300% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

6µs, 5µs

上升/下降時間(典型值)

3µs, 4.7µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.25V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

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電壓-隔離

4170Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

300% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

15µs, 15µs (Max)

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.18V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-40°C ~ 100°C

安裝類型

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 500µA

電流傳輸比(最大值)

250% @ 500µA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

10mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-30°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

4-DIP (0.300", 7.62mm)

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電流傳輸比(最小值)

500% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

15µs, 30µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

125mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.25V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

1V

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

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3µs, 3µs

上升/下降時間(典型值)

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輸入類型

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輸出類型

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電壓-輸出(最大值)

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