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MOCD217R1M

MOCD217R1M

僅供參考

型號 MOCD217R1M
PNEDA編號 MOCD217R1M
描述 OPTOISO 2.5KV 2CH TRANS 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,930
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MOCD217R1M資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MOCD217R1M
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
MOCD217R1M, MOCD217R1M數據表 (總頁數: 12, 大小: 334.11 KB)
PDFMOC212R2VM數據表 封面
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MOCD217R1M規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數2
電壓-隔離2500Vrms
電流傳輸比(最小值)100% @ 1mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)7.5µs, 5.7µs
上升/下降時間(典型值)3.2µs, 4.7µs
輸入類型DC
輸出類型Transistor
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道150mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.05V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)400mV
工作溫度-40°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

500% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

25µs, 18µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington with Base

電壓-輸出(最大值)

55V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

1V

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

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包裝/箱

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系列

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1

電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

50% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

4.2µs, 23µs

上升/下降時間(典型值)

3µs, 14µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.15V

電流-直流正向(If)(最大值)

90mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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10000VDC

電流傳輸比(最小值)

25% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.6V (Max)

電流-直流正向(If)(最大值)

40mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-40°C ~ 85°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-隔離

3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

600% @ 500µA

電流傳輸比(最大值)

8000% @ 500µA

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 34µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington with Base

電壓-輸出(最大值)

18V

電流-輸出/通道

60mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.25V

電流-直流正向(If)(最大值)

10mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

0°C ~ 70°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

50% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

600% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

6µs, 5µs

上升/下降時間(典型值)

3µs, 4.7µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

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