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MP6M12TCR

MP6M12TCR

僅供參考

型號 MP6M12TCR
PNEDA編號 MP6M12TCR
描述 MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MP6M12TCR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MP6M12TCR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
MP6M12TCR, MP6M12TCR數據表 (總頁數: 11, 大小: 1,458.39 KB)
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MP6M12TCR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs42mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds250pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝MPT6

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2060pF @ 10V

功率-最大

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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