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MPG06DHE3/73

MPG06DHE3/73

僅供參考

型號 MPG06DHE3/73
PNEDA編號 MPG06DHE3-73
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,466
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 15 - 十一月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MPG06DHE3/73資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MPG06DHE3/73
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MPG06DHE3/73, MPG06DHE3/73數據表 (總頁數: 4, 大小: 428.99 KB)
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MPG06DHE3/73規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)600ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱MPG06, Axial
供應商設備包裝MPG06
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 150A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 45V

電容@ Vr,F

-

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

120ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

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Surface Mount

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DO-214AC (SMA)

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

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