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MPG06JHE3_A/100

MPG06JHE3_A/100

僅供參考

型號 MPG06JHE3_A/100
PNEDA編號 MPG06JHE3_A-100
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MPG06JHE3_A/100資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MPG06JHE3_A/100
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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MPG06JHE3_A/100規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)600ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱MPG06, Axial
供應商設備包裝MPG06
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 5V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

250mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 200V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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