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MPS3563

MPS3563

僅供參考

型號 MPS3563
PNEDA編號 MPS3563
描述 RF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,694
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MPS3563資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MPS3563
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MPS3563, MPS3563數據表 (總頁數: 3, 大小: 46.49 KB)
PDFMPS3563G數據表 封面
MPS3563G數據表 頁面 2 MPS3563G數據表 頁面 3

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MPS3563規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡1.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)6.5dB @ 60MHz
增益14dB @ 200MHz
功率-最大350W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 8mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92

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-

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

增益

25dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

3-SMD, No Lead

供應商設備包裝

UB

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5.5V

頻率-過渡

25GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

增益

19.5dB

功率-最大

160mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 4V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

4-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

4-TSFP

SD1224

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

35V

頻率-過渡

175MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7.6dB

功率-最大

60W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 500mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M135

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

6GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

18mA

工作溫度

175°C (TJ)

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