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MPS3563G

MPS3563G

僅供參考

型號 MPS3563G
PNEDA編號 MPS3563G
描述 RF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MPS3563G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MPS3563G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MPS3563G, MPS3563G數據表 (總頁數: 3, 大小: 46.49 KB)
PDFMPS3563G數據表 封面
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MPS3563G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡1.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)6.5dB @ 60MHz
增益14dB @ 200MHz
功率-最大350W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 8mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

1.03GHz ~ 1.09GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

9dB

功率-最大

175W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

5.4A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M214

供應商設備包裝

M214

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

360mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 5mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz

增益

10dB ~ 13.5dB

功率-最大

600mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 35mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.7V

頻率-過渡

45GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz

增益

10dB ~ 29dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 15mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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