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MPS3563G

MPS3563G

僅供參考

型號 MPS3563G
PNEDA編號 MPS3563G
描述 RF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 9 - 二月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MPS3563G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MPS3563G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MPS3563G, MPS3563G數據表 (總頁數: 3, 大小: 46.49 KB)
PDFMPS3563G數據表 封面
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MPS3563G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡1.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)6.5dB @ 60MHz
增益14dB @ 200MHz
功率-最大350W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 8mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz

增益

10dB ~ 13.5dB

功率-最大

600mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 35mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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4-SMD (35 micro-X)

供應商設備包裝

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晶體管類型

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB @ 1GHz

增益

10dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 15mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2mA, 4V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3.3V

頻率-過渡

15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

增益

14dB

功率-最大

190mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

11GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB @ 1.8GHz

增益

10.5dB

功率-最大

1W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 30mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60mA

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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