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MPS5179_D75Z

MPS5179_D75Z

僅供參考

型號 MPS5179_D75Z
PNEDA編號 MPS5179_D75Z
描述 RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,282
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 23 - 四月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MPS5179_D75Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MPS5179_D75Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
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MPS5179_D75Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡2GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)5dB @ 200MHz
增益15dB
功率-最大350mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 3mA, 1V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

增益

10.2dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

SOT-343

BF959

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

700MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

增益

-

功率-最大

625mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

BLT70,115

NXP

制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

8V

頻率-過渡

900MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

2.1W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 100mA, 4.8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

250mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

供應商設備包裝

SOT-223

MT3S20TU(TE85L)

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Toshiba Semiconductor and Storage

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.45dB @ 20mA, 5V

增益

12dB

功率-最大

900mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

3-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

UFM

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

2.8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

2.5dB @ 800MHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 2mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

TO-236AB (SOT23)

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