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MPS650ZL1G

MPS650ZL1G

僅供參考

型號 MPS650ZL1G
PNEDA編號 MPS650ZL1G
描述 TRANS NPN 40V 2A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MPS650ZL1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MPS650ZL1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MPS650ZL1G, MPS650ZL1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 101.33 KB)
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MPS650ZL1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce75 @ 1A, 2V
功率-最大625mW
頻率-過渡75MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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ON Semiconductor

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

400MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 5A, 15A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 30mA, 10V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

55V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.4V @ 20mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 200mA, 4V

功率-最大

5W

頻率-過渡

1.5MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

180V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 200mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

70MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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