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MPS651G

MPS651G

僅供參考

型號 MPS651G
PNEDA編號 MPS651G
描述 TRANS NPN 60V 2A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,678
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MPS651G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MPS651G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MPS651G, MPS651G數據表 (總頁數: 5, 大小: 101.33 KB)
PDFMPS751RLRPG數據表 封面
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MPS651G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce75 @ 1A, 2V
功率-最大625mW
頻率-過渡75MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

195mV @ 75mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

1.3W

頻率-過渡

500MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 150mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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制造商

STMicroelectronics

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

140V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 3.2A, 16A

當前-集電極截止(最大值)

10mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 8A, 4V

功率-最大

150W

頻率-過渡

-

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

TO-204AA, TO-3

供應商設備包裝

TO-3

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 100mA, 5V

功率-最大

1.35W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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