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MPSA12RLRA

MPSA12RLRA

僅供參考

型號 MPSA12RLRA
PNEDA編號 MPSA12RLRA
描述 TRANS NPN DARL 20V TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,820
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 16 - 四月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MPSA12RLRA資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MPSA12RLRA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MPSA12RLRA, MPSA12RLRA數據表 (總頁數: 3, 大小: 47.95 KB)
PDFMPSA12數據表 封面
MPSA12數據表 頁面 2 MPSA12數據表 頁面 3

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MPSA12RLRA規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 10µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20000 @ 10mA, 5V
功率-最大625mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.8V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

16000 @ 1A, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

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工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

400MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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