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MPSH10RLRAG

MPSH10RLRAG

僅供參考

型號 MPSH10RLRAG
PNEDA編號 MPSH10RLRAG
描述 RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,164
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MPSH10RLRAG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MPSH10RLRAG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MPSH10RLRAG, MPSH10RLRAG數據表 (總頁數: 3, 大小: 82.51 KB)
PDFMPSH10RLRPG數據表 封面
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MPSH10RLRAG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡650MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大350mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 4mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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1dB ~ 2.5dB @ 1GHz

增益

20dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 5mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

增益

13dB

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 20mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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-

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

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工作溫度

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

1W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

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