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MR0A16AYS35R

MR0A16AYS35R

僅供參考

型號 MR0A16AYS35R
PNEDA編號 MR0A16AYS35R_69
描述 IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 12 - 四月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MR0A16AYS35R資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MR0A16AYS35R
類別半導體內存IC內存

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MR0A16AYS35R規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式RAM
技術MRAM (Magnetoresistive RAM)
內存大小1Mb (64K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁35ns
訪問時間35ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

60µs, 750µs

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOP

28232478 A

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

*

內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

S34MS01G200BHV000

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

MS-2

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

63-VFBGA

供應商設備包裝

63-BGA (11x9)

BU9897GUL-WE2

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

11-UFBGA, CSPBGA

供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

64Gb (1G x 64)

內存接口

-

時鐘頻率

1600MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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