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MR25H10MDCR

MR25H10MDCR

僅供參考

型號 MR25H10MDCR
PNEDA編號 MR25H10MDCR
描述 IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN
制造商 Everspin Technologies Inc.
單價 請求報價
庫存 5,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MR25H10MDCR資源

品牌 Everspin Technologies Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MR25H10MDCR
類別半導體內存IC內存

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MR25H10MDCR規格

制造商Everspin Technologies Inc.
系列Automotive, AEC-Q100
內存類型Non-Volatile
內存格式RAM
技術MRAM (Magnetoresistive RAM)
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率40MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-DFN-EP, Large Flag (5x6)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

95ns

訪問時間

95ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-TBGA

供應商設備包裝

64-EasyBGA (10x13)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

256Gb (32G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

83MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

68-PLCC (24.21x24.21)

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制造商

STMicroelectronics

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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