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MRF282ZR1

MRF282ZR1

僅供參考

型號 MRF282ZR1
PNEDA編號 MRF282ZR1
描述 FET RF 65V 2GHZ NI-200Z
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF282ZR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF282ZR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF282ZR1, MRF282ZR1數據表 (總頁數: 13, 大小: 552.05 KB)
PDFMRF282SR1數據表 封面
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MRF282ZR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率2GHz
增益11.5dB
電壓-測試26V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試75mA
功率-輸出10W
電壓-額定65V
包裝/箱NI-200Z
供應商設備包裝NI-200Z

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噪聲系數

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當前-測試

150mA

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電壓-額定

110V

包裝/箱

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NI-1230

制造商

NXP USA Inc.

系列

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LDMOS

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增益

17dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

29A

噪聲系數

-

當前-測試

900mA

功率-輸出

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電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

LDMOST

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

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增益

21dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

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功率-輸出

28W

電壓-額定

65V

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供應商設備包裝

NI-780S

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12V

額定電流(安培)

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噪聲系數

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4.5W

電壓-額定

15V

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制造商

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晶體管類型

LDMOS

頻率

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增益

14dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

3.1A

噪聲系數

-

當前-測試

130mA

功率-輸出

2W

電壓-額定

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