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MRF5812

MRF5812

僅供參考

型號 MRF5812
PNEDA編號 MRF5812
描述 RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOIC
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,804
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF5812資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF5812
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MRF5812規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
頻率-過渡5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益13dB ~ 15.5dB
功率-最大1.25W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 50mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

800MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

6dB @ 200MHz

增益

24dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

2SC5488A-TL-H

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 20mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

3-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

3-SSFP

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz

增益

5.3dB ~ 12.5dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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SOT-323

2SC4093-A

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CEL

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

13dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

19dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

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