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MRF5S21100HR3

MRF5S21100HR3

僅供參考

型號 MRF5S21100HR3
PNEDA編號 MRF5S21100HR3
描述 FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,056
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF5S21100HR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF5S21100HR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF5S21100HR3, MRF5S21100HR3數據表 (總頁數: 10, 大小: 677.23 KB)
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MRF5S21100HR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率2.16GHz ~ 2.17GHz
增益13.5dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1.05A
功率-輸出23W
電壓-額定65V
包裝/箱SOT-957A
供應商設備包裝NI-780H-2L

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頻率

765MHz

增益

18.7dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

900mA

功率-輸出

150W

電壓-額定

65V

包裝/箱

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

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頻率

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增益

11dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

1mA

噪聲系數

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當前-測試

250mA

功率-輸出

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電壓-額定

170V

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增益

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電壓-測試

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額定電流(安培)

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噪聲系數

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當前-測試

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功率-輸出

220W

電壓-額定

65V

包裝/箱

2-Flatpack, Fin Leads

供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.03GHz

增益

19.7dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

200mA

功率-輸出

500W

電壓-額定

110V

包裝/箱

NI-780S

供應商設備包裝

NI-780S

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

960MHz

增益

19.4dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

2.4A

功率-輸出

100W

電壓-額定

70V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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